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低温硅钼棒、硅碳棒
GWL低温硅碳棒
  • GWL低温硅碳棒
  • GWL低温硅碳棒
产物称号:GWL低温硅碳棒 型号: 产物特色:

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GWL-SH/SL型:系D 型产物的改进型号。其冷真个电阻低且热消耗小。若是装配在通俗的产业炉里较之D型能够节能5-10%。

GWL-SU 型:因为冷端根数削减了一半,热消耗削减50%的同时进步了炉内的温度平均性。

GWL-SW 型:首要用于浮法玻璃熔窑。

GWL-SG,SGR型:操纵温度最高可达1600℃,研发阶段,2006年末投放市场。


产物机能

物理特征

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电阻、温度特征(参照图1)

    电阻值在0-700℃之间随温度进步而下降,高于700℃时阻值随温度的下降而下降。规范电阻值是在氛围中1000℃前提下测定的,与在常温下测定的电阻值差别很大,提请注重。


操纵寿命


   GWL硅碳棒在氧化氛围中操纵会慢慢氧化天生二氧化硅,随之电阻慢慢增添致使硅碳棒老化,另外也与资料老化机能有关。氧化反映方程式以下:SiC+2O2 → SiO2+CO2


    碳化硅在氛围中与氧气(O2)反映,跟着二氧化硅(SiO2)数目的增添,硅碳棒外表慢慢氧化,引发阻值增大。当温度到达800℃时呈现氧化反映,温度越高反映越快。这类氧化进程在硅碳棒的操纵早期硅碳棒外表未能构成致密的氧化膜,氧化反映较快,电阻增添尤其明显,随后反映的停止,当在硅碳棒外表构成致密的氧化膜今后,进入电阻不变区。今后跟着时候的增添,导电层慢慢削减,绝缘层慢慢增添,硅碳棒的外部产生部分过热,电阻疾速增添。普通环境下当阻值到达初始阻值的约3倍时,硅碳棒的寿命到达极限(而螺旋棒却差别,要到达其初始阻值的约1.7倍)。这是因为当阻值增添到其3倍时,每根棒发烧散布不平均,从而致使炉内温度散布不平均。当硅碳棒寿命将尽时,岂但阻值会增添并且会因气孔率的变更、强度变更等缘由产生断棒事务。

    硅碳棒的寿命还因 ① 操纵温度 ②外表负荷密度 ③ 炉内处置物的氛围及资料 ④ 炉子运行体例 ⑤ 接线体例的差别而有所差别,详细申明以下:


硅碳棒温度越遐龄命越短。出格是在炉膛温度跨越1400℃今后(SH和SL型,而螺旋棒在1600℃),氧化速率加快,硅碳棒的操纵寿命变短,以是请尽能够不要让硅碳棒外表温渡过高,即有须要削减炉膛温度与硅碳棒温度之差。

外表负荷密度指棒的发烧部单元外表积所许可承载的额外功率。

  外表负荷密度=额外功率(W)/ 发烧部外表积(cm2)

      理论证实:负荷密度大则发烧体外表温度与炉膛温度之差也大。负荷密度大则棒体外表温度高,电阻增添快,SIC棒的寿命短。是以,硅碳棒外表温度负荷密度、炉内氛围、温度与SIC棒老化速率成正比,与SIC棒的寿命成正比。

 

  炉膛温度与外表负荷密度的干系

      图示的操纵规模曲线为外表负荷密度临界限,现实环境下请坚持临界限的1/2—1/3的外表负荷。硅碳棒的额外值在冷端部已有标注,此额外电流是据日本JIS手艺申明在氛围中外表温度为1000±50℃时测定的,此时外表负荷密度为15W/cm2摆布。请注重若是按额外电压、电流给硅碳棒通电将形成硅碳棒超负荷。


在烧成中与处置物挥收回来的各类化学物资之间的反映也一样须要注重。在现实低温操纵进程中,硅碳棒若是与水、氢、氮、硫、卤素等气体及熔融的铝、碱、盐、熔融金属、金属氧化物打仗的话,也会产生反映、侵蚀或氧化景象。


电气炉日夜持续运行与中断运行比拟,前者的寿命较长。硅碳棒在操纵中外表氧化天生二氧化硅皮膜。长时候操纵使二氧化硅皮膜增添,硅碳棒阻值也随之增添。此二氧化硅皮膜在结晶临界点(270℃)四周产生非常缩短、缩短。因中断操纵总在此温度高低浮动,以是频频粉碎皮膜、加快氧化。以是停电炉温降至室温时常常急剧增添电阻。


E若是硅碳棒阻值差别,串连时电阻高的硅碳棒负荷较集合,易致使某一根硅碳棒的电阻疾速增添,寿命变短。GWL硅碳棒普通是串、并连接线连系操纵。倡议接纳2根串连为一组后多组并联。出格当炉内温度跨越1350℃时必须并联。三相接线时倡议操纵开放三角形接线。

 

选定体例


起首要肯定外表负荷密度。普通环境下,GWL硅碳棒外表负荷密度是由炉内温度和硅碳棒外表温度的干系求得,外表负荷密度不跨越硅碳棒极限外表负荷密度的1/3。因为硅碳棒上施加的功率越大,硅碳棒的外表温度越高,外表负荷密度越大,老化越快。倡议尽能够下降硅碳棒的外表负荷密度。


  次按照装备功率除以外表负荷密度获得硅碳棒的总发烧面积。已知炉膛尺寸便可求出差别直径硅碳棒的根数。若是硅碳棒阻值差别,串连时电阻高的硅碳棒负荷较集合,易致使某一根硅碳棒的电阻疾速增添,寿命变短。以是硅碳棒尽能够并联操纵。可是硅碳棒的并联操纵,间接形成线路电流的增添,致使早期装备投资的增添。GWL硅碳棒普通是串、并连接线连系操纵。倡议接纳2根串连为一组后多组并联。



回路额外电压的计较可按照以下公式得出电压:

V:回路额外电压[V]

Pm:装备功率[W]

r:SINTOKAN®硅碳棒1000[℃]时的电阻[Ω](参照规格表)

S:串连接线数[根]

P:并连接线数[根]

举例:装备功率Pm=16[kW]

2S-8P(2根串连、8根并联)接线

如选用SH14*500*300(3.57Ω),则

V=√16000*3.57*2/8 =119.5→115[V]所得电压数值(119.5)减到能被5整除的数值(115V)。


硅碳棒在操纵进程中电阻会增添,普通环境下早期操纵硅碳棒电阻值增添较快,而后到达不变期,电阻值到达初始阻值的约3倍时为硅碳棒极限寿命(而螺旋棒却差别,要到达其初始阻值的约1.7倍)。以是要想有用操纵好硅碳棒,须要电压弥补装配以针对电阻的变更。电压弥补规模是额外电压的1.73倍。为削减有效电力进步装备电源容量操纵率倡议操纵带有多极抽头的自耦变压器,电压转换开关和晶闸管电力调剂器的电力节制装配能够进步硅碳棒的寿命。小容量电力装备可控硅装配可零丁功课。在低电压大电流状况下,可将变压器装配在晶闸管电力调剂器的输入端。 斟酌到硅碳棒在700到1000℃的电阻值变更为10%。变压器的容量要留10%的余地,晶闸管电力调剂器要留15-20%的余地。比方:如电炉的装备容量为30KW,则变压器为33KVA,晶闸管电力调剂器容量为36KVA.

有关硅碳棒的选型的接线体例(单相并联,2根串连后再并联;三相星型,三相三角型)敬请来电征询。

氛围影响


处置物挥收回来的各类化学物资之间的反映也一样须要注重。以是,针对特别氛围和侵蚀性物资,我公司开辟了各类避免硅碳棒疾速老化的涂层。选用恰当的涂层能够耽误硅碳棒的寿命。不管在哪一种氛围中都最好让外表负荷尽能够小。


差别氛围对硅碳棒的影响

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附件

GWL®硅碳棒配有接电源用的铝编带和夹子,请按照硅碳棒的直径区分操纵。


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